图书介绍
化合物半导体材料与器件PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- 谢孟贤，刘诺编著 著
- 出版社： 成都：电子科技大学出版社
- ISBN：7810655140
- 出版时间：2000
- 标注页数：215页
- 文件大小：11MB
- 文件页数：223页
- 主题词：
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图书目录
绪论1
第一章 半导体的能带结构4
1.1 能带中一些符号的意义4
1.2 Ge、Si、GaAs的能带结构5
1.3 抛物线性能带8
1.4 非抛物线性能带10
1.5 无能隙半导体13
主要参考文献16
2.1 载流子的速度过冲(下冲)过程17
第二章 载流子的瞬态输运过程17
2.2 载流子的弹道输运过程26
主要参考文献34
第三章 二维电子气35
3.1 二维电子气概念35
3.2 二维电子气的能量状态36
3.3 低电场下二维电子气的迁移率39
3.4 二维电子气的光学性质41
3.5 强磁场中的二维电子气44
3.6 一维电子气的特性49
主要参考文献51
第四章 半导体超晶格52
4.1 基本结构52
4.2 能带结构55
4.3 超晶格振荡与放大器件59
4.4 超晶格的应用举例61
4.5 谐振隧道二极管63
4.6 谐振带间隧道二极管68
4.7 非晶半导体超晶格72
4.8 半导体超晶格的无序化75
主要参考文献76
第五章 半导体异质结78
5.1 半导体异质结的界面78
5.2 半导体异质结的能带突变81
5.3 热平衡下异质结的能带图87
5.4 半导体异质结的伏安特性91
5.5 非晶半导体异质结94
5.6 Si/SiGe异质结97
主要参考文献106
第六章 高电子迁移率晶体管108
6.1 HEMT的基本结构和工作原理109
6.2 基本特性113
6.3 HEMT中2-DEG的迁移率和漂移速度116
6.4 赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)119
6.5 HEMT集成电路121
6.6 GaAs/AlGaAs类绝缘栅场效应晶体管122
主要参考文献123
第七章 异质结双极型晶体管125
7.1 缓变发射结HBT128
7.2 突变发射结HBT129
7.3 缓变发射结、缓变基区HBT130
7.4 突变发射结、缓变基区HBT131
7.5 HBT的扩散理论135
7.6 AlxGal-rAs/GaAs-HBT的工艺技术142
7.7 其他结构HBT举例144
7.8 非晶HBT146
7.9 Si/Sil-xGex-HBT148
7.10 异质结双极型热电子晶体管150
主要参考文献151
8.1 液封Czochralski拉晶技术153
第八章 化合物半导体外延技术153
8.2 半绝缘GaAs单晶质量的改进154
8.3 分子束外延157
8.4 金属有机化学气相淀积法(MOCVD)162
8.5 原子束外延(ALE)166
8.6 卤素输运法167
8.7 液相外延171
主要参考文献173
9.1 常见杂质和点缺陷174
第九章 化合物半导体中的杂质和缺陷174
9.2 热处理效应177
9.3 Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体的掺杂问题180
9.4 n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的DX中心184
9.5 GaAs/AlxGal-xAs超晶格中的浅杂质态189
主要参考文献193
第十章 宽带隙化合物半导体材料及其异质结194
10.1 SiC材料、器件及应用195
10.2 GaN材料、异质结与器件202
主要参考文献214