图书介绍
微电子材料与器件制备技术PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- 王秀峰，伍媛婷编 著
- 出版社： 北京：化学工业出版社
- ISBN：7122024458
- 出版时间：2008
- 标注页数：225页
- 文件大小：111MB
- 文件页数：242页
- 主题词：微电子技术
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微电子材料与器件制备技术PDF格式电子书版下载
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图书目录
1 概述1
1.1 微电子技术1
1.2 微电子材料及其应用2
1.3 工艺3
1.4 器件4
1.5 未来趋势4
2 单晶6
2.1 概述6
2.2 硅6
2.3 硅的晶体结构与性能7
2.4 硅晶体中的缺陷和非理想状态8
2.5 硅的晶体生长及设备9
2.5.1 硅的纯化9
2.5.2 直拉法生长单晶硅10
2.5.3 区熔法生长单晶硅11
2.5.4 外延法13
2.5.5 生长设备13
2.6 其他单晶15
2.7 晶圆制备16
3 薄膜18
3.1 概述18
3.2 衬底18
3.3 多晶硅19
3.4 非晶硅21
3.5 硅化物22
3.6 二氧化硅24
3.7 金属薄膜25
3.8 薄膜新材料25
3.8.1 金刚石25
3.8.2 其他26
3.9 薄膜制备方法27
3.9.1 物理气相沉积27
3.9.2 蒸发和分子束外延生长28
3.9.3 溅射29
3.9.4 化学气相沉积31
3.9.5 其他沉积方法35
3.10 外延38
3.10.1 外延的概念38
3.10.2 外延技术的发展38
3.10.3 异质外延39
3.10.4 硅的CVD同质外延40
3.10.5 外延的模拟40
4 光刻、铸造和压印42
4.1 概述42
4.2 光刻掩模版44
4.2.1 传统掩模版45
4.2.2 相移掩模版45
4.2.3 X射线光刻掩模版46
4.2.4 电子束光刻镂空式模板与散射式掩模版47
4.2.5 离子束光刻掩模版与模板48
4.2.6 掩模版的制造、缺陷和修复48
4.2.7 复合掩模版50
4.3 主要光刻技术及设备50
4.3.1 沉浸光刻50
4.3.2 无掩模光刻技术51
4.3.3 紫外线光刻／极紫外光刻51
4.3.4 电子束光刻53
4.3.5 离子束光刻58
4.3.6 X射线光刻58
4.3.7 设备60
4.4 基本图形形状62
4.5 光刻胶63
4.5.1 光刻胶的反应机理及应用65
4.5.2 应用性能指标67
4.5.3 光刻胶薄膜光学68
4.5.4 光刻胶去胶或灰化69
4.6 表面活性剂69
4.7 光学光刻延伸技术71
4.7.1 上表面成像及多层胶技术71
4.7.2 光刻图形的胶修整及化学收缩71
4.8 光学光刻模拟72
4.9 压印72
4.9.1 纳米压印光刻72
5 刻蚀与化学机械抛光80
5.1 概述80
5.2 刻蚀方法与设备81
5.2.1 湿法刻蚀81
5.2.2 电化学刻蚀82
5.2.3 各向异性湿法刻蚀83
5.2.4 干法刻蚀技术（等离子体刻蚀技术）83
5.2.5 激光刻蚀88
5.2.6 纳米级无损刻蚀工艺88
5.2.7 离子束刻蚀88
5.3 刻蚀工艺表征89
5.4 常用材料的刻蚀工艺90
5.4.1 硅90
5.4.2 二氧化硅91
5.4.3 氮化硅和氮氧化硅93
5.4.4 铝93
5.4.5 铜94
5.4.6 难熔金属和硅化物94
5.5 化学机械抛光工艺和设备94
5.5.1 传统的化学机械抛光96
5.5.2 双面化学机械抛光97
5.5.3 电化学机械抛光98
5.5.4 超无应力抛光技术99
5.5.5 不同材料的CMP技术100
5.5.6 CMP成本控制104
5.5.7 发展趋势104
5.6 CMP的化学104
5.7 晶圆抛光105
5.8 CMP控制测量106
5.9 CMP工艺的后清洗技术108
6 清洗与表面预处理110
6.1 概述110
6.2 杂质的形式与分类111
6.2.1 颗粒污染111
6.2.2 有机杂质112
6.2.3 金属杂质113
6.3 湿法清洗116
6.3.1 分类116
6.3.2 清洗液118
6.3.3 湿法清洗去除颗粒杂质121
6.3.4 晶圆片的颗粒测量122
6.4 干法清洗122
6.4.1 等离子体清洗技术123
6.4.2 气相清洗124
6.4.3 激光清洗法125
6.5 冲洗和烘干125
6.5.1 冲洗125
6.5.2 烘干127
7 表面层改性128
7.1 热氧化128
7.1.1 氧化过程128
7.1.2 迪尔-格罗夫氧化模型130
7.1.3 氧化物的结构130
7.1.4 氧化物电荷131
7.1.5 氧化过程的模拟132
7.1.6 局部氧化132
7.1.7 氧化时应力和图形的影响133
7.1.8 氧化设备134
7.2 扩散136
7.2.1 扩散机理137
7.2.2 扩散时的掺杂剖面形貌137
7.2.3 扩散模拟138
7.2.4 扩散应用138
7.2.5 扩散设备138
7.3 离子注入139
7.3.1 简介139
7.3.2 离子注入的基本原理140
7.3.3 注入工艺141
7.3.4 缺陷及热退火142
7.3.5 离子注入模拟143
7.3.6 离子注入的设备144
7.3.7 注入测量146
8 晶片键合技术147
8.1 概述147
8.2 晶片键合的基本原理及其要求147
8.3 键合方法149
8.3.1 玻璃浆料键合149
8.3.2 阳极键合149
8.3.3 直接键合技术150
8.3.4 等离子体键合150
8.3.5 金属键合151
8.3.6 黏着键合151
8.3.7 外延牺牲层法151
8.4 键合晶片的表征测试方法152
8.4.1 键合前晶片表面的表征152
8.4.2 键合强度测试法152
8.4.3 键合界面特性的表征154
8.5 键合的应用154
8.5.1 用键合技术形成SOI材料154
8.5.2 用键合技术形成MEMS结构和三维器件155
8.5.3 用低温键合技术形成光电子器件156
8.5.4 用键合方法形成特殊结构和器件157
9 工艺集成158
9.1 概述158
9.2 晶圆片的选择158
9.2.1 硅片159
9.2.2 非硅基片162
9.3 设计规则163
9.3.1 版图规则163
9.3.2 RCL器件设计规则165
9.3.3 层与层间的布局规则166
9.3.4 套准规则167
9.3.5 电性设计规则169
9.3.6 RCL芯片169
9.4 热工艺170
9.4.1 薄膜修正170
9.4.2 表面修正170
9.5 金属化171
9.5.1 金属类型171
9.5.2 金属淀积系统175
9.6 可靠性测定177
9.6.1 热可靠性178
9.6.2 氧化硅缺陷和电性品质178
9.6.3 电迁移179
9.6.4 应力迁移179
10 CMOS晶体管181
10.1 概述181
10.2 多晶硅栅CMOS工艺181
10.3 MOS晶体管的按比例缩小184
10.3.1 光刻的按比例缩小184
10.3.2 晶体管的按比例缩小185
10.3.3 前道模拟186
10.4 晶圆片的选择186
10.4.1 栅氧187
10.4.2 自对准栅187
10.4.3 替代栅188
10.4.4 与硅的接触188
10.5 双极工艺技术189
10.5.1 SBC双极型晶体管的加工工艺190
10.5.2 先进双极结构192
10.5.3 BiCMOS工艺技术194
10.6 多层金属布线195
10.6.1 双层金属布线195
10.6.2 多层金属布线196
10.6.3 大马士革金属布线（镶嵌金属布线）196
10.6.4 金属布线的按比例缩小198
10.6.5 铜金属布线198
10.6.6 低电介质材料199
11 MEMS工艺集成202
11.1 概述202
11.2 双面加工工艺202
11.2.1 双面抛光晶圆片203
11.2.2 双面生长、掺杂和薄膜沉积204
11.2.3 双面光刻204
11.2.4 键合对准205
11.3 隔膜结构205
11.4 硅穿孔结构206
11.4.1 硅通孔制备方法206
11.4.2 硅通孔互连中的关键工艺技术208
11.5 图形化技术209
11.5.1 光刻胶技术209
11.5.2 剥离掩模层／窝形掩模层209
11.5.3 屏罩式掩模209
11.6 等离子体刻蚀与各向异性湿法刻蚀210
11.7 压阻式压力传感器211
11.8 IC-MEMS集成213
12 微电子材料与器件性能测量分析215
12.1 表面形貌观察215
12.1.1 光学显微法215
12.1.2 扫描电子显微镜215
12.1.3 透射电子显微镜216
12.1.4 原子力显微镜217
12.1.5 扫描隧道显微镜217
12.2 器件尺寸测量218
12.2.1 电机械探针和原子力显微镜218
12.2.2 X射线反射法218
12.3 电学测试218
12.4 物理和化学分析219
12.4.1 X射线衍射219
12.4.2 红外光谱219
12.4.3 俄歇电子波谱法220
12.4.4 X射线光电子波谱法220
12.4.5 二次离子质谱220
12.4.6 全反射X射线荧光光谱221
12.4.7 卢瑟福背散射能谱法221
12.4.8 电子微探针分析221
12.4.9 原子吸收光谱222
12.4.10 微波光导衰减法222
12.4.11 X射线断层摄影术222
12.4.12 其他222
参考文献224