图书介绍
石墨烯基础及氢气刻蚀PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- 王彬，王宇薇，王雪娇，魏颖著 著
- 出版社： 北京：冶金工业出版社
- ISBN：9787502481971
- 出版时间：2019
- 标注页数：133页
- 文件大小：55MB
- 文件页数：144页
- 主题词：石墨－纳米材料－研究
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图书目录
1绪论1
参考文献3
2石墨烯的晶体结构和电子结构6
2.1 石墨烯的晶体结构6
2.2 石墨烯的电子结构7
2.2.1 单层石墨烯的电子结构7
2.2.2 石墨烯中无质量的狄拉克费米子10
2.2.3 双层石墨烯的电子结构12
2.2.4 多层石墨烯的电子结构15
参考文献18
3石墨烯的性质及应用19
3.1 石墨烯能带隙的打开19
3.2 石墨烯基微电子器件和纳米电子器件21
3.2.1 石墨烯电路中的晶体管数量22
3.2.2 数字逻辑门23
3.2.3 数字非易失性存储器24
3.3 高频电子器件27
3.3.1 模拟电压放大器28
3.3.2 石墨烯环振荡器29
3.4 基于分层材料的器件31
3.5 新型的垂直型/平面型晶体管和器件32
3.5.1 垂直隧道晶体管和垂直热电子晶体管32
3.5.2 2d异质结构的面内传输33
3.6 电子发射35
3.7 石墨烯饱和吸收剂和相关设备36
3.8 石墨烯相关应用举例37
3.8.1 透明电极37
3.8.2 纳米电子器件38
3.8.3 储能应用39
3.8.4 传感器方面的应用39
3.8.5 复合材料方面的应用40
参考文献40
4石墨烯的制备、表征及转移45
4.1 干法剥离45
4.1.1 用于研究目的的机械剥离45
4.1.2 阳极键合47
4.1.3 激光烧蚀和光剥离48
4.2 液相剥离48
4.2.1 石墨的液相剥离49
4.2.2 氧化石墨的液相剥离53
4.2.3 插层石墨的液相剥离54
4.3 SiC热蒸发法56
4.4 化学气相沉积（CVD）58
4.4.1 金属衬底上热CVD法制备石墨烯59
4.4.2 绝缘衬底上热CVD法制备石墨烯65
4.4.3 CVD法制备大尺寸石墨烯晶畴67
4.5 其他制备方法69
4.5.1 过渡金属表面析出法69
4.5.2 碳纳米管解理法69
4.6 石墨烯的表征技术70
4.6.1 光学显微镜70
4.6.2 原子力显微镜71
4.6.3 扫描电子显微镜72
4.6.4 透射电子显微镜74
4.6.5 拉曼光谱76
4.7 石墨烯的转移技术78
参考文献80
5 CVD法在单晶Mo膜衬底上制备高质量石墨烯薄膜86
5.1 在Mo膜上生长石墨烯薄膜的研究背景86
5.2 CVD法在单晶Mo膜上制备石墨烯薄膜87
5.2.1 电子束蒸发制备单晶Mo膜及表征87
5.2.2 单晶Mo膜上制备石墨烯的过程88
5.3 生长参数对石墨烯薄膜质量的影响90
5.3.1 H2与CH4流量比对石墨烯薄膜性质的影响90
5.3.2 生长时间对石墨烯薄膜性质的影响91
5.3.3 降温速率对石墨烯薄膜性质的影响92
5.3.4 Mo膜厚度对石墨烯薄膜性质的影响92
5.4 单晶Mo膜上生长石墨烯与Mo片上生长石墨烯比较93
5.5 Mo膜衬底的团聚现象94
5.6 本章小结94
参考文献95
6 CVD法在抛光Cu衬底上制备高质量石墨烯薄膜96
6.1 Cu衬底上制备石墨烯薄膜的研究背景96
6.2 Cu衬底的电化学机械抛光96
6.2.1 Cu衬底的机械抛光96
6.2.2 Cu衬底的电化学抛光98
6.3 抛光与未抛光Cu衬底上生长的石墨烯比较99
6.4 Cu衬底晶界及表面划痕对生长石墨烯的影响100
6.5 在抛光Cu衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴101
6.6 两步合成法生长高质量石墨烯薄膜103
6.7 本章小结104
参考文献105
7 CVD法制备的石墨烯晶畴的H2刻蚀现象研究107
7.1 H2刻蚀石墨烯薄膜的研究背景107
7.2 六角石墨烯晶畴的制备107
7.3 刻蚀时间对石墨烯晶畴的影响108
7.4 Cu面晶向对石墨烯表面刻蚀条纹的影响109
7.5 石墨烯表面褶皱与刻蚀条纹的关系113
7.6 降温速率对刻蚀条纹的影响117
7.7 石墨烯的H2刻蚀过程及机理分析117
7.8 本章小结119
参考文献120
8 CVD石墨烯晶畴的边缘刻蚀现象研究122
8.1 研究背景122
8.2 实验过程122
8.3 石墨烯晶畴H2刻蚀的两种模式123
8.4 影响边缘刻蚀因素分析125
8.5 刻蚀温度和刻蚀时间对石墨烯晶畴H2刻蚀的影响126
8.6 石墨烯边缘刻蚀分析128
8.6.1 温度引起的边缘刻蚀128
8.6.2 边缘刻蚀的AFM分析129
8.7 石墨烯晶畴在降温和刻蚀过程中的形态变化130
参考文献132