图书介绍
电子材料与器件实验教程PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- 闫军锋主编 著
- 出版社： 西安：西安电子科技大学出版社
- ISBN：9787560640440
- 出版时间：2016
- 标注页数：202页
- 文件大小：24MB
- 文件页数：210页
- 主题词：电子材料－实验－高等学校－教材；电子器件－实验－高等学校－教材
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图书目录
实验一 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜和粉体材料1
实验二 水热法制备ZnO纳米功能材料6
实验三 溶剂热法制备Fe3O4磁性材料9
实验四 ZnO半导体陶瓷的制备12
实验五 微波合成法制备ZnO纳米功能材料16
实验六 热丝CVD法制备金刚石薄膜19
实验七 磁控溅射法制备SnO2薄膜22
实验八 氨化法制备GaN粉体及薄膜材料26
实验九 丝网印刷工艺30
实验十 真空镀膜及电极制备33
实验十一 电子材料的X射线衍射（XRD）测试39
实验十二 电子材料的扫描电子显微镜（SEM）测试42
实验十三 电子材料的透射电子显微镜（TEM）测试46
实验十四 电子材料的原子力显微镜（AFM）测试54
实验十五 电子材料的X射线光电子能谱（XPS）分析58
实验十六 电子材料的拉曼谱（RAMAN）测试63
实验十七 电子材料的俄歇谱（AES）测试68
实验十八 半导体材料晶面的光学定向73
实验十九 腐蚀金相法显示与测量单晶缺陷78
实验二十 椭偏法测量薄膜厚度83
实验二十一 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻90
实验二十二 半导体材料霍尔系数的测量98
实验二十三 高频C-V法测量半导体表面层的杂质浓度102
实验二十四 表面光电压法测量硅中少子扩散长度106
实验二十五 高频光电导衰退法测量硅（锗）单晶少子寿命110
实验二十六 光电导法测量硅单晶材料的禁带宽度113
实验二十七 深能级瞬态谱法测量硅中深能级中心116
实验二十八 金属-半导体接触势垒高度的测量118
实验二十九 半导体材料的电磁性能及反射率测试121
实验三十 半导体材料场发射特性测试126
实验三十一 半导体材料的光致发光性能测试130
实验三十二 半导体材料载流子浓度和霍尔迁移率的测试132
实验三十三 半导体薄膜消光系数和透射率的测试138
实验三十四 电子材料比表面积测试142
实验三十五 电子材料密度测量146
实验三十六 PN结的温度特性研究149
实验三十七 PN结结深的测量153
实验三十八 半导体光敏二极管的光谱特性研究156
实验三十九 晶体管直流参数对电路性能的影响161
实验四十 半导体压力传感器参数测试167
实验四十一 压敏电阻的特性测试173
实验四十二 半导体气体传感器性能测试177
实验四十三 晶闸管特性测试182
附录一 数据处理187
附录二 常用基本物理常数表193
附录三 几种常见半导体材料的物理性能参数195
附录四 硅的消光距离196
附录五 如何定量描述偏离度197
附录六 用阳极氧化去层法求扩散层中杂质浓度分布198
参考文献200