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译者的话1

原序1

概论1

目录1

第一章 高频面结型晶体管7

1.1 普通面结型晶体管的截止频率7

1.2 条带形平面晶体管12

1.3 高频晶体管的等效电路和截止频率18

1.4.1 电压-频率极限29

1.4 高频晶体管的功率和频率极限29

1.4.2 电流-频率极限31

1.4.3 功率-频率极限32

1.4.4 增益-频率极限33

1.5 晶体管作为高频放大器时的散射参量35

1.6 晶体管放大器的匹配电路39

1.7 利用定向耦合器的晶体管并联电路47

1.8 高频放大器的稳定性48

1.9 前置放大器52

1.10 功率放大器54

参考文献56

第二章 PN结变容二极管57

2.1 耗尽层电容59

2.2 电荷储存64

2.3 阶跃二极管的电荷控制模型66

2.4 寿命和漂移时间的测量71

2.5 漂移场与漂移时间的关系75

2.6 PN结变容二极管的工艺和性能79

参考文献83

3.1 参量放大器84

第三章 变容二极管的应用84

3.1.1 功率增益86

3.1.2 参量放大器的噪声89

3.1.4 用于参量放大器的二极管和电路95

3.1.3 参量放大器的带宽99

3.2 倍频器100

3.2.1 利用耗尽层变容管倍频102

3.2.2 利用理想阶跃二极管倍频111

3.2.3 利用实际阶跃二极管倍频119

3.2.4 倍频器电路126

3.3 上变频器133

3.3.1 参量上变频器134

3.3.2 功率上变频器139

参考文献147

第四章 PIN二极管149

4.1 PIN二极管的反向阻抗151

4.2 PIN二极管的正向阻抗154

4.3 接通过程157

4.4 切断过程161

4.5 PIN二极管的设计164

4.6 PIN二极管开关和移相器165

4.7 开关定理169

4.8 最大开关功率170

4.9 开关和调制损耗176

4.10 开关的频率响应179

4.11 通带衰减具有低通特性的传输式开关180

4.12 通带衰减具有带通特性的传输式开关182

4.13 多路开关186

4.14 渡越时间开关和色散相位调制器187

4.15 在PIN开关中控制电压和直流电压的引入189

4.16 PIN二极管脉冲发生器190

4.17 PIN二极管倍频器198

参考文献203

第五章 肖特基二极管205

5.1 金属-半导体结的能带结构206

5.2 肖特基结的电流-电压特性213

5.2.1 镜象力219

5.2.2 声子散射和反扩散220

5.2.3 量子力学反射和隧道过程221

5.3 肖特基二极管作为高频变阻管224

5.4 肖特基变阻管作为高频检波器227

5.5 变阻管作为接收混频器235

5.6 肖特基二极管作为高频变容管256

参考文献258

第六章 MIS变容二极管260

6.1 能带结构和电容-电压特性261

6.2 MIS变容二极管的控制极限271

6.3 界面效应275

6.4 MIS变容二极管的特性模型和截止频率284

6.5 利用MIS变容二极管作倍频器290

6.6 利用MIS变容二极管作参量放大器297

6.7 利用MIS变容二极管作上变频器301

参考文献303

第七章 高频场效应晶体管305

7.1 耗尽型场效应晶体管308

7.1.1 内部场效应晶体管的静态特性309

7.1.2 完整的耗尽型场效应晶体管的高频等效电路317

7.1.3 频率极限324

7.1.4 场效应晶体管的设计325

7.2 增强型MOSFET328

7.2.1 内部MOSFE的静态特性329

7.2.2 完整的MOSFET的高频等效电路338

7.2.3 频率极限和MOSFET的设计343

7.3 场效应晶体管中的高频噪声345

7.3.1 耗尽型场效应晶体管中的热噪声345

7.3.2 增强型MOSFET中的沟道热噪声349

7.4 高频应用352

7.4.1 共源电路的导纳参数352

7.4.2 功率增益和稳定性353

7.4.3 场效应晶体管放大器的噪声系数358

7.4.4 非线性失真361

7.4.5 共栅电路和共源-共栅电路362

参考文献364

第八章 雪崩渡越时间二极管366

8.1 基本理论366

8.1.1 倍增效应366

8.1.2 漂移速度367

8.2 雪崩渡越时间二极管的工作原理368

8.3 小信号理论371

8.3.1 稳态解372

8.3.2 准静态小信号近似373

8.3.3 普遍的小信号理论377

8.4 大信号理论380

8.4.1 电流非线性381

8.4.2 振荡工作状态下的起振特性和工作点384

8.4.3 输出功率和效率389

8.4.4 高效率振荡模式390

8.5 材料选择、结构形式和应用395

8.5.1 材料性能395

8.5.2 雪崩渡越时间二极管的设计399

8.5.3 结构形式400

8.5.4 应用403

参考文献404

第九章 转移电子（耿氏）器件406

9.1 基本理论406

9.2 空间电荷的不稳定性409

9.3 小信号理论412

9.3.1 稳态解412

9.3.2 小信号阻抗（反射放大器）414

9.3.3 行波放大器418

9.3.4 横向尺寸的影响420

9.4 畴动力学425

9.4.1 累积畴425

9.4.2 偶极畴428

9.5 振荡器工作模式434

9.5.1 偶极畴延迟模435

9.5.2 偶极畴猝灭模436

9.5.3 限制空间电荷积累的振荡模式（LSA工作模式）437

9.5.4 工作模式综述441

9.6.1 材料选择442

9.6 材料选择、结构形式和应用442

9.6.2 结构形式443

9.6.3 应用444

参考文献448

第十章 电声微波放大器（声子放大器）450

10.1 基本理论450

10.2 小信号理论452

10.3.1 材料选择457

10.3.2 结构形式457

10.3 材料选择、结构形式和应用457

10.3.3 应用459

参考文献460

附录461

A.1 最大单向增益461

A.2 四端网络参量和功率增益464

A.3 具有变换四端网络的电路的传输参量468

A.4 稳定圆和绝对稳定性469

A.5 半导体材料硅、砷化镓和锗在300K的一些特性471

重要符号表474