图书介绍
高速 GaAs 集成电路PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- 史常忻等编著 著
- 出版社： 上海：上海交通大学出版社
- ISBN：7313007868
- 出版时间：1991
- 标注页数：202页
- 文件大小：8MB
- 文件页数：208页
- 主题词：
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图书目录
目录1
第一章 GaAs集成电路的特点和发展1
§1.1 GaAs集成电路的特点1
§1.2 GaAs集成电路的发展和现状3
参考文献5
第二章 金属-半导体接触6
§2.1 势垒高度6
§2.2 电流特性10
§2.3 测量势垒高度的实验方法11
§2.4 势垒高度的调整14
参考文献15
第三章 GaAs MESFET17
§3.1 Shockley模型17
§3.2 电场变化对迁移率的影响19
§3.3 沟道杂质非均匀分布的影响22
§3.4 源、漏寄生电阻的影响24
§3.5 两区间模型26
§3.6 增强型MESFET27
§3.7 一些参量的测量27
参考文献29
第四章 GaAs集成电路设计理论30
§4.1 引言30
§4.2 BFL单元30
§4.3 SDFL单元38
§4.4 DCFL单元40
§4.5 电路设计43
参考文献49
§5.1 GaAs集成电路工艺的特点50
第五章 GaAs集成电路工艺50
§5.2 离子注入及退火技术54
§5.3 栅工艺77
§5.4 欧姆接触91
§5.5 互连95
§5.6 工艺流程99
参考文献111
第六章 GaAs集成电路逻辑模块特性计算机模拟113
§6.1 GaAs集成电路设计与CAD113
§6.2 离子注入GaAs MESFET直流特性的计算机模拟113
§6.3 GaAs MESFET解析模型及直流特性116
§6.4 GaAs IC逻辑门ECL直流及瞬态特性分析模拟123
§6.5 BFL逻辑门直流及瞬态特性模拟142
§6.6 GaAS IC逻辑单元DCFL设计144
参考文献153
第七章 高电子迁移率晶体管（HEMT）154
§7.1 引言154
§7.2 异质结155
§7.3 各种类型异质结的能带图159
§7.4 高电子迁移率晶体管164
参考文献175
附录176
附录一 室温300K时GaAs、Si和Ge的性质176
附录二 室温300K时某些Ⅲ-Ⅴ族半导体的性质177
附录三 GaAs中的浅杂质和深能级178
附录四 GaAs中电子和空穴的迁移率和杂质浓度的关系179
附录五 GaAs的有关相图180
附录六 微机彩色图形及GaAs FET电路中文编辑程序182
附录七 GaAs IC DCFL逻辑门特性模拟源程序191