集成电路制造工艺PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载

集成电路制造工艺PDF格式电子书版下载

注意：本站所有压缩包均有解压码： 点击下载压缩包解压工具

基础模块1

第1章 集成电路制造工艺的发展与工艺流程1

本章要点1

1.1 集成电路制造工艺的发展历史2

1.1.1 分立器件的发展2

1.1.2 集成电路的发展4

1.2 分立器件和集成电路制造工艺流程7

1.2.1 硅外延平面晶体管的工艺流程7

1.2.2 双极型集成电路的工艺流程10

1.2.3 集成电路中NMOS晶体管的工艺流程12

1.3 本课程的内容框架14

本章小结15

思考与习题115

核心模块16

第2章 薄膜制备16

本章要点16

2.1 半导体生产中常用的薄膜17

2.1.1 半导体生产中常用的绝缘介质膜17

2.1.2 半导体生产中常用的半导体膜23

2.1.3 半导体生产中常用的导电膜24

2.2 薄膜生长——SiO2的热氧化29

2.2.1 二氧化硅的热氧化机理30

2.2.2 基本的热氧化方法和操作规程34

2.2.3 常规热氧化设备38

2.2.4 其他的热氧化生长39

2.2.5 硅-二氧化硅系统电荷42

2.2.6 二氧化硅质量检测44

2.3 化学气相淀积（CVD）薄膜制备46

2.3.1 化学气相淀积的基本概念46

2.3.2 几种主要薄膜的化学气相淀积50

2.3.3 外延技术57

2.4 物理气相淀积（PVD）薄膜制备67

2.4.1 蒸发67

2.4.2 溅射69

本章小结74

思考与习题274

第3章 光刻76

本章要点76

3.1 光刻工艺的基本原理77

3.2 光刻胶77

3.2.1 负性光刻胶78

3.2.2 正性光刻胶79

3.2.3 正胶和负胶的性能比较79

3.2.4 光刻胶的主要性能指标及测定方法80

3.3 光刻工艺81

3.3.1 预处理（脱水烘烤、HMDS）81

3.3.2 旋转涂胶82

3.3.3 软烘85

3.3.4 对准和曝光86

3.3.5 曝光后的烘焙91

3.3.6 显影91

3.3.7 坚膜烘焙91

3.3.8 显影检查及故障排除92

3.4 先进光刻工艺介绍93

3.4.1 极紫外线（EUV）光刻技术93

3.4.2 电子束光刻94

3.4.3 X射线光刻97

3.4.4 分辨率增强技术98

3.4.5 浸入式光刻技术101

3.4.6 纳米压印技术101

本章小结102

思考与习题3102

第4章 刻蚀104

本章要点104

4.1 刻蚀的基本概念105

4.1.1 刻蚀的目的105

4.1.2 刻蚀的主要参数105

4.1.3 刻蚀的质量要求107

4.1.4 刻蚀的种类107

4.2 湿法刻蚀107

4.2.1 湿法刻蚀的基本概念107

4.2.2 几种薄膜的湿法刻蚀原理及操作108

4.3 干法刻蚀109

4.3.1 干法刻蚀的基本概念109

4.3.2 几种薄膜的干法刻蚀原理及操作111

4.3.3 干法刻蚀的终点检测113

4.4 去胶115

4.4.1 溶剂去胶115

4.4.2 氧化剂去胶115

4.4.3 等离子体去胶116

本章小结117

思考与习题4117

第5章 掺杂118

本章要点118

5.1 热扩散的基本原理119

5.1.1 扩散机构119

5.1.2 扩散规律119

5.1.3 影响杂质扩散的其他因素122

5.2 热扩散的方法126

5.2.1 液态源扩散126

5.2.2 固态源扩散127

5.2.3 掺杂氧化物固-固扩散128

5.2.4 掺杂乳胶源扩散128

5.2.5 金扩散129

5.3 扩散层的质量参数与检测129

5.3.1 结深129

5.3.2 薄层电阻132

5.4 离子注入的基本原理134

5.4.1 离子注入的定义及特点134

5.4.2 离子注入的LSS理论135

5.5 离子注入机的组成及工作原理138

5.5.1 离子源和吸极138

5.5.2 磁分析器139

5.5.3 加速管140

5.5.4 中性束流陷阱140

5.5.5 扫描系统141

5.5.6 靶室144

5.6 离子注入的损伤与退火145

5.6.1 注入损伤145

5.6.2 退火的方法145

本章小结147

思考与习题5147

第6章 平坦化149

本章要点149

6.1 平坦化的基本原理150

6.2 传统的平坦化方法152

6.2.1 反刻152

6.2.2 高温回流154

6.2.3 旋涂玻璃法154

6.3 先进的平坦化技术CMP155

6.3.1 CMP的原理156

6.3.2 CMP的特点156

6.3.3 CMP主要工艺参数157

6.3.4 CMP设备159

6.3.5 CMP质量的影响因素164

6.4 CM P平坦化的应用166

6.4.1 氧化硅CMP166

6.4.2 多晶硅CMP168

6.4.3 金属CMP169

6.4.4 CMP技术的发展171

本章小结171

思考与习题6171

拓展模块172

第7章 硅衬底制备172

本章要点172

7.1 硅单晶的制备173

7.1.1 半导体材料的性质与种类173

7.1.2 多晶硅的制备174

7.1.3 单晶硅的制备174

7.2 单晶硅的质量检验178

7.2.1 物理性能的检验178

7.2.2 电学参数的检验178

7.2.3 晶体缺陷的观察和检测180

7.3 硅圆片的制备182

7.3.1 整形处理182

7.3.2 基准面研磨182

7.3.3 定向183

7.3.4 切片183

7.3.5 磨片184

7.3.6 倒角184

7.3.7 刻蚀185

7.3.8 抛光185

本章小结186

思考与习题7186

第8章 组装工艺187

本章要点187

8.1 芯片组装工艺流程188

8.1.1 组装工艺流程188

8.1.2 背面减薄188

8.1.3 划片189

8.1.4 贴片189

8.1.5 键合191

8.1.6 塑封192

8.1.7 去飞边毛刺193

8.1.8 电镀193

8.1.9 切筋成型193

8.1.10 打码194

8.1.11 测试和包装194

8.2 引线键合技术194

8.2.1 引线键合的要求194

8.2.2 引线键合的分类195

8.2.3 引线键合工具197

8.2.4 引线键合的基本形式198

8.2.5 引线键合设备及工艺过程200

8.2.6 引线键合的工艺参数201

8.2.7 引线键合质量分析202

8.2.8 引线键合的可靠性204

8.3 封装技术206

8.3.1 封装的要求206

8.32 封装的分类206

8.3.3 常见的封装形式207

8.3.4 封装技术的发展214

本章小结215

思考与习题8216

第9章 洁净技术217

本章要点217

9.1 洁净技术等级218

9.1.1 什么是洁净技术218

9.1.2 洁净技术等级标准218

9.2 净化设备219

9.2.1 过滤器219

9.2.2 洁净工作室220

9.2.3 洁净室内的除尘设备221

9.2.4 洁净工作台221

9.3 清洗技术222

9.3.1 硅片表面杂质沾污222

9.3.2 硅片表面清洗的要求223

9.3.3 典型的清洗顺序224

9.3.4 湿法清洗224

9.3.5 干法清洗229

9.3.6 束流清洗技术230

9.3.7 硅片清洗案例230

9.4 清洗技术的改进231

9.4.1 SC-1液的改进231

9.4.2 DHF的改进231

9.4.3 ACD清洗232

9.4.4 酸系统溶液232

9.4.5 单片式处理232

9.4.6 局部清洗233

9.5 纯水制备233

9.5.1 离子交换原技术234

9.5.2 反渗透技术234

9.5.3 电渗析技术235

9.5.4 电去离子技术235

9.5.5 去离子水制备流程236

9.5.6 制备去离子水的注意事项237

本章小结237

思考与习题9238

提升模块239

第10章 CMOS集成电路制造工艺239

本章要点239

10.1 CMOS反相器的工作原理及结构240

10.1.1 CMOS反相器的工作原理240

10.1.2 CMOS反相器的结构240

10.2 CMOS集成电路的工艺流程及制造工艺241

10.2.1 CMOS集成电路的工艺流程241

10.2.2 CMOS集成电路的制造工艺247

10.3 CMOS先进工艺249

10.3.1 浅沟槽隔离（STI）249

10.3.2 外延双阱工艺250

10.3.3 逆向掺杂和环绕掺杂251

10.3.4 轻掺杂漏技术（LDD）252

10.3.5 绝缘衬底硅（SOI）253

10.3.6 Bi-CMOS技术254

本章小结255

思考与习题10255

第11章 集成电路测试与可靠性分析257

本章要点257

11.1 集成电路测试258

11.1.1 集成电路测试及分类258

11.1.2 晶圆测试260

11.1.3 成品测试265

11.2 集成电路可靠性分析267

11.2.1 可靠性的基本概念267

11.2.2 集成电路可靠性试验269

11.2.3 集成电路的失效分析272

本章小结278

思考与习题11279

参考文献280