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金属-半导体-金属光电探测器PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
![金属-半导体-金属光电探测器](https://www.shukui.net/cover/20/30830424.jpg)
- 史常忻著 著
- 出版社: 上海:上海交通大学出版社
- ISBN:7313024142
- 出版时间:2000
- 标注页数:116页
- 文件大小:4MB
- 文件页数:125页
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图书目录
目 录1
第一章绪论1
§1.1 高速大容量光纤通信中光电探测器的发展1
§1.2金属—半导体—金属(MSM)光电探测器的4
发展和特点4
第二章金属—半导体—金属光电探测器原理和设计12
§2.1 MSM光电探测器的器件结构和工作原理12
§2.2直流电流—电压特性和光电流响应16
§2.2.1直流电流—电压特性16
§2.2.2电容—电压特性24
§2.2.3光电流响应26
§2.3.1 量子效率28
§2.3 MSM光电探测器的主要参量及其物理意义28
§2.3.2直流光电响应(光电灵敏度)29
§2.3.3平带电压和击穿电压29
§2.3.4暗电流30
§2.3.5响应波长30
§2.3.6电容30
§2.3.7截止频率32
§2.4 MSM光电探测器的等效电路和噪音特性33
§2.5 MSM光电探测器结构与各参量的关系36
§2.5.1 电极结构与时间常数的关系36
§2.5.2量子效率38
§2.5.3有源层厚度的影响40
§2.6 MSM光电探测器特性的数值分析46
§2.6.1 交叉指状电极结构器件中的电场分布46
§2.6.2电流传输特性48
§3.1 长波长MSM光电探测器的问题和解决55
第三章具有肖特基势垒增强层的MSM光电探测器55
§3.2 肖特基势垒增强理论和技术57
§3.2.1 采用高浓度的薄反型层提高有效势垒高度57
§3.2.2介质薄膜对有效肖特基势垒的增高62
§3.3具有肖特基势垒增强层的MSM光电探测器65
的特性65
§3.3.1 直流特性65
§3.3.2瞬态特性67
§3.4双重势垒增强技术71
§4.1 器件的一般工艺流程76
§4.1.1 基片外延生长工艺76
第四章金属—半导体—金属光电探测器的工艺和测试76
§4.1.2器件制造工艺80
§4.2器件测试82
§4.2.1 直流参量测试82
§4.2.2 工艺对器件特性的影响86
§4.2.3瞬态特性测量88
第五章金属—半导体—金属光电探测器的发展前景91
§5.1新型器件结构的发展91
§5.2 OEIC中的MSM光电探测器98
§5.3 MSM器件结构在其他领域中的应用109
附录113
附录1 Gax Inlx Asy Ply合金的物理特性113
附录2 不同组分的Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体禁带宽度与晶格常数的关系(300K)115
附录3 一些金属的电阻率及温度的关系116