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金属有机物气相外延:理论与实践PDF|Epub|txt|kindle电子书版本下载
- （美）杰拉尔德·B.斯特林费洛著 著
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- 出版时间：2016
- 标注页数：0页
- 文件大小：63MB
- 文件页数：532页
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图书目录
第一章 OMVPE方法概述1
1.1 引言1
1.2 外延技术的比较2
1.3 OMVPE生长过程概述7
参考文献14
第二章 热力学16
2.1 相平衡的热力学基础17
2.2 相图34
2.3 外延生长的热力学驱动力60
2.4 固态组分65
2.5 四元系81
2.6 表面热力学82
参考文献89
第三章 表面物理过程99
3.1 引言99
3.2 表面测量技术100
3.3 表面特性的直接观测105
3.4 原子级生长过程108
3.5 表面过程对OMVPE生长的影响122
参考文献126
第四章 源物质131
4.1 引言131
4.2 Ⅱ族源140
4.3 Ⅲ族有机源141
4.4 Ⅴ族有机源147
4.5 Ⅵ族源168
4.6 金属有机掺杂源173
参考文献175
第五章 动力学186
5.1 背景186
5.2 OMVPE生长过程194
5.3 单相热解反应197
5.4 多相热解反应240
5.5 有序246
参考文献252
第六章 流体力学与质量输运262
6.1 引言262
6.2 OMVPE的完全流体力学处理263
6.3 边界层模型271
6.4 卧式OMVPE反应室近似分析方法272
6.5 反应室设计应用276
参考文献277
第七章 OMVPE生长过程设计279
7.1 OMVPE生长的综合模型279
7.2 动力学限制的生长282
7.3 中等温度下所有气压范围内的生长过程301
7.4 高温区306
7.5 Ⅱ／Ⅵ族化合物的OMVPE生长307
7.6 总体工艺过程设计315
参考文献331
第八章 OMVPE生长的材料340
8.1 GaAs340
8.2 AlGaAs352
8.3 GaInAs,AlInAs和AlGaInAs360
8.4 InP364
8.5 GaP,GaInP,AlGaInP370
8.6 As/P合金375
8.7 锑化物及其合金380
8.8 Ⅲ／Ⅴ族氮化物，AlGaInN391
8.9 Ⅲ／Ⅴ族半导体的选区生长398
8.10 Ⅱ／Ⅵ族半导体399
8.11 Ⅳ族半导体404
8.12 非半导体材料405
参考文献408
第九章 超晶格426
9.1 AlGaAs/GaAs429
9.2 GaInAs/InP434
9.3 AlGaInP/GaInP438
9.4 GaInAs/GaAs440
9.5 AlGaInN443
9.6 应变层超晶格444
9.7 Si衬底上的GaAs445
9.8 SiGe合金446
9.9 Ⅱ/Ⅵ化合物447
9.10 掺杂超晶格449
9.11 原子层外延（ALE）450
参考文献454
第十章 器件462
10.1 注入式激光器和LED463
10.2 光电二极管479
10.3 电子开关器件481
10.4 太阳能电池486
10.5 总结488
参考文献488
文中缩略语497
金属有机源分子符号500
索引502