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![电子线路分析](https://www.shukui.net/cover/58/34222443.jpg)
- (澳)维特(J.T.Wade)等著;佟平译 著
- 出版社: 北京:水利电力出版社
- ISBN:15143·3334
- 出版时间:1978
- 标注页数:442页
- 文件大小:14MB
- 文件页数:451页
- 主题词:
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图书目录
目录1
第一章 整流3
1-1引言3
1-2交流电压3
1-3脉动电压4
1-4商用交流电压4
1-5交流变直流5
1-6理想整流器6
1-7理想整流器(或二极管)特性7
1-8半波整流器电路7
1-9全波整流8
1-10具有中心抽头变压器的全波整流器9
1-11全波桥式整流器11
1-12滤波13
1-13小结14
2-1引言15
第二章 二极管削波电路15
2-2串联二极管正向削波器16
2-3等效电路16
2-4Vc反极性的影响17
2-5数学表示法17
2-6图解表示法18
2-7串联二极管负向削波器19
2-8数学和图解表示法20
2-9并联二极管削波电路21
2-10并联二极管正向削波器21
2-11并联二极管负向削波器21
2-12双端削波器22
2-13双向削波电路22
2-14小结23
3-3等效电路25
3-2电容器充电周期25
3-1引言25
第三章 二极管钳位电路25
3-4输入变化的影响27
3-5输入直流电平的影响28
3-6二极管反向的影响28
3-7其它电平的钳位29
3-8输入峰值小于Vc的影响30
3-9小结30
第四章 二极管逻辑32
4-1引言32
4-2“与”门32
4-3“或”门33
4-4二极管作开关33
4-5正逻辑记法34
4-6二极管“或”门结构35
4-7二极管“与”门结构37
4-8电路负载39
4-9标准符号40
4-10小结41
第五章 二极管特性42
5-1引言42
5-2氧化铜(片)整流器42
5-3硒(片)整流器43
5-4pn结二极管43
5-5pn结的理论特性44
5-6Ge和Si二极管的比较45
5-7实际二极管:体电阻46
5-8实际二极管:反向特性48
5-9实际二极管:对温度的依赖关系48
5-10动态电阻49
5-11小结51
6-3额定功率Pz·max52
6-2齐纳电压(反向击穿电压)Vz52
6-1引言52
第六章 齐纳二极管特性52
6-4对温度的依赖关系53
6-5动态电阻54
6-6交流和直流动态电阻55
6-7最小反向电流的选择55
6-8小结56
第七章 齐纳二极管的应用57
7-1引言57
7-2并联稳压器电路57
7-并联稳压器的工作57
7-4并联稳压器的设计:电路的限制58
7-5并联稳压器的设计:齐纳电流的范围58
7-6并联稳压器的设计:Rs的选择58
7-7并联稳压器的设计:Rs的额定功率59
7-9并联稳压器性能60
7-8并联稳压器的设计:难点60
7-10齐纳二极管作交流滤波器62
7-11齐纳二极管作电压削波器64
7-12小结64
第八章 三极管介绍66
8-1引言66
8-2三极管的结构66
8-5电流增益67
8-4三极管中的电流关系67
8-3三极管的工作67
8-6三极管作开关:介绍68
8-7三极管作开关:电流和电压的关系69
8-8三极管作开关:饱和70
8-9截止和饱和的条件70
8-10开关的应用72
8-11小结74
9-3“非”或“反向”电路76
9-2“非”或“反向”逻辑运算76
第九章 三极管逻辑76
9-1引言和摘要76
9-4影响反向电路设计的其它因素80
9-5“与非”和“或非”门82
9-6小结87
第十章 集成电路逻辑89
10-1引言89
10-2逻辑的定律和基本理论(布尔代数)89
10-3通用门:“与非”、“或非”门90
10-4由“与非”门到“与-或-(非)”门的转换93
10-5集成电路介绍95
10-6集成电路封装95
10-7二极管阵列97
10-8DTL逻辑集成电路98
10-9TTL逻辑集成电路100
10-10门闩和触发器102
10-11小结103
第十一章 共发射极放大器105
11-1引言105
11-2三极管的转移电导105
11-3偏置的需要106
11-4静态条件107
11-5信号对基极电压和集电极电流的影响108
11-6信号对集电极电压的影响110
11-7输出电压和电压增益112
11-8放大器的输入电阻113
11-9放大器的转移电阻116
11-10电压增益和转移电阻的意义117
11-11小结118
第十二章 共发射极放大器等效电路120
12-1引言120
12-2三极管等效电路120
12-3使用三极管等效电路分析放大器122
12-4放大器特性参数124
12-5外负载的影响125
12-6放大器输出电阻128
12-7输出电阻的经验估计130
12-8放大器的戴维南等效电路131
12-9小结134
第十三章 共发射极偏置技术:第一部分137
13-1引言137
13-2单基极电阻偏置137
13-3β稳定系数139
13-4具有发射极电阻的单基极电阻偏置140
13-5集电极-基极电阻偏置143
13-6具有发射极电阻的集电极-基极电阻偏置144
13-7漏电流对偏置电路的影响145
13-8小结147
14-2双电源偏置149
第十四章 共发射极偏置技术:第二部分149
14-1引言149
14-3电压分压偏置151
14-4用集电极-基极电阻的电压分压偏置153
14-5小结157
第十五章 共发射极放大器:串联反馈159
15-1引言159
15-2有旁路发射极电阻159
15-3无旁路发射极电阻163
15-4部分旁路发射极电阻166
15-5串联反馈的稳定作用169
15-6小结173
第十六章 射极跟随器175
16-1引言175
16-2共集电极放大器175
16-3射极跟随器的输出电阻177
16-4射极跟随器的应用180
16-5输入电阻的界限181
16-6自举偏置电阻182
16-7小结186
第十七章 共发射极放大器:并联反馈188
17-1引言188
17-2交流并联反馈188
17-3并联反馈对电压增益和输入电阻的影响189
17-4并联反馈对转移电阻的影响192
17-5并联反馈的稳定作用195
17-6并联反馈对输出电阻的影响199
17-7交流并联反馈的消除204
17-8串联和并联反馈的兼容性204
17-9小结205
第十八章 简单的级联技术207
18-1引言207
18-2复合对管207
18-3其它成对组合管210
18-4放大器的级联211
18-5小结214
第十九章 三极管特性和额定值216
19-1引言216
19-2理想集电极特性216
19-3由集电极特性决定电流增益217
19-4与理想情况的偏差:VCE(sat)218
19-5与理想情况的偏差:特性的不等间隔218
19-6与理想情况的偏差:Ic对VCE的依赖219
19-7与理想情况的偏差:B-E特性对VCE的依赖221
19-8根据制造厂资料决定三极管参数222
19-9元件最大额定值228
19-10击穿电压(最大电压)229
19-11漏电流230
19-12小结232
20-2静态损耗234
第二十章 共发射极放大器特性的界限234
20-1引言234
20-3无发射极电阻的C-E放大器的有效输出电压幅值236
20-4外负载对输出电压幅度的影响240
20-5射极电阻对有效输出电压幅度的影响243
20-6用图解法决定C-E放大器的输出电压幅值248
20-7由电压驱动引起的失真253
20-8由电流驱动引起的失真255
20-9低频响应256
20-10高频响应257
20-11小结259
第二十一章 场效应管特性262
21-1引言262
21-2场效应管的结构262
21-3场效应管的工作263
21-4场效应管的特性264
21-5转移特性266
21-6场效应管参数:漏极导通电阻270
21-7场效应管参数:动态漏极电阻272
21-8场效应管参数:转移电导274
21-9场效应管参数:放大系数279
21-10场效应管元件的额定值280
21-11“夹断电压”一词的另一种用法280
21-12小结281
第二十二章 结型场效应管:应用283
22-1引言283
22-2多样的应用283
22-3共源极放大器:介绍284
22-4共源极放大器:信号分析285
22-5共源极放大器:源极电阻自偏290
22-6共源极放大器:双电源偏置294
22-7共源极放大器:电压分压偏置297
22-8部分旁路源极电阻的影响:串联反馈303
22-9源极跟随器306
22-10动态漏极电阻的影响309
22-11rd对放大器特性的影响311
22-12小结318
第二十三章 真空二极管321
23-1引言321
23-2阴极和热电子发射321
23-3真空二极管321
23-4真空二极管特性322
23-5其它类型的二极管325
23-6小结325
第二十四章 真空三极管和五极管326
24-1引言326
24-2三极管特性327
24-3五极管特性330
24-4三极管共阴极放大器:静态条件333
24-5五极管共阴极放大器:静态条件335
24-6共阴极放大器:阴极电阻自偏337
24-7共阴极放大器:信号分析342
24-8共阴极放大器:图解信号分析348
24-9阴极跟随器351
24-10真空管的额定值353
24-11小结354
附录A基本半导体理论357
A-1半导体357
A-2电流的流动357
A-3n-型锗358
A-4p-型锗358
A-5pn结358
A-6在正向偏置的pn结中电流和电压的关系360
附录B练习题362
考试卷414